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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VI20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VI20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
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VI20150SG | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.99 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High efficiency operation FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.51 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.51 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：带盒（TB） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS PRODUCT FEATURES 1. FLAMMABILITY CLASSIFICATION 94V-0 2. EXTREMELY LOW VF 3. LOW STORED CHARGE 4. MAJORITY CARRIER CONDUCTION 5. LOW POWER LOSS/HIGH EFFICIENCY 6. CASE: TRANSFER MOLDED TO-220AB FOR MBR20xxxCT ITO-220AB FOR MBR20xxxFCT 7. DIMENSIONS IN INCHES AND (MILLIMETERS) 8. LEADS: SOL | FRONTIER | | ||
INDUSTRIAL MICROWAVE GENERATORS 2450 MHZ 文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages | MKS | | ||
20.0 Ampere Surface Mount Dual Common Cathode Schottky Barrier Rectifiers 文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：72.78 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | |
VI20150SG产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20150SG
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262AA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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VICOR |
23+ |
模块 |
120 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
VICOR |
23+ |
MODULE |
14300 |
优势原装现货假一赔十 |
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VICOR |
24+ |
DC-DC |
6868 |
原装现货,可开13%税票 |
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VICOR |
24+ |
模块 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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VICOR |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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VICOR |
2015 |
模块 |
300 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
Vicor |
2023+环保现货 |
模块 |
2080 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
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VISHAY |
25+ |
TO-262 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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