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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VI20100S | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VI20100S | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
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VI20100S | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JES | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temp | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-22 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：156.99 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 文件：159.2 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.77 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.07 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 文件：159.2 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：带盒（TB） 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
肖特基二极管与整流器 20 Amp 100 Volt | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.77 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 文件：159.2 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：200.88 Kbytes Page：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Capacitive Sensor Features ■M30 × 1.5 threaded barrel ■Plastic, PA12‐GF30 ■Fine adjustment via potentiometer ■DC 2-wire, nom. 8.2 VDC ■Output acc. to DIN EN 60947-5-6 (NAMUR) ■Cable connection ■ATEX category II 2 G, Ex Zone 1 ■ATEX category II 1 D, Ex Zone 20 ■SIL 2 (Low Demand Mode) acc. to IEC 61508, PL | TURCKTurck, Inc. 图尔克德国图尔克集团公司 | | ||
PRODUCT SPECIFICATION Cable/Wire stripperss | JOKARI | | ||
SWITCHMODE??Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package SWITCHMODE Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package The D2PAK Power Rectifier is a state−of−the−art device that employs the use of the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. Features • Package Designed for Power Surface Mount Applications • Center−Tap Configuration | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
ENGINEERS CUTTING TOOLS 文件：3.25271 Mbytes Page：24 Pages | PRESTO | | ||
INDUSTRIAL MICROWAVE GENERATORS 2450 MHZ 文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages | MKS | |
VI20100S产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20100S
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VIS |
25+23+ |
TO-262 |
15225 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-262AA |
1846 |
||||
VISHAY |
24+ |
TO262AA |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY |
22+ |
TO262AA |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262AA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VIS |
13+ |
TO-262 |
370 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VIS |
24+ |
TO-262 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
VI20100S规格书下载地址
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