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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VFT30L60C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VFT30L60C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VFT30L60C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.03 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：散装 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 60V ITO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.03 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 60V ITO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
30A Trench Schottky Rectifier 文件：479.67 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：472.05 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：472.3 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
30A Low Barrier Diode 文件：460.73 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：474.15 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | |
VFT30L60C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT30L60C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220F |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY/威世 |
2026+ |
TO220F |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
VISHAY/威世 |
2540+ |
TO-220F |
8595 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
VFT4045BP-M3/4W |
25+ |
800 |
800 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
全新原装现货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220-2 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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VFT30L60C规格书下载地址
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2019-9-25
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