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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VFT2060G-M3-4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free a | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free a | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
VFT2060G-M3-4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT2060G-M3-4W
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Siliconix/Vishay |
新 |
2163 |
全新原装 货期两周 |
||||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
ITO220AB |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ASI |
24+ |
260 |
现货供应 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220A |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
54000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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2019-9-25
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