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VF30150C价格
参考价格：￥6.7817
型号：VF30150C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VF30150C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VF30150C批发/采购报价，VF30150C行情走势销售排行榜，VF30150C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VF30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：159.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.17 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.17 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology 文件：88.85 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 150V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.56 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.17 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
PRODUCT SPECIFICATION 文件：395.81 Kbytes Page：6 Pages | JOKARI | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：489.84 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：480.05 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
High frequency operation 文件：710.65 Kbytes Page：3 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
Cable assembly with T812 series connector w/SR 文件：169.93 Kbytes Page：1 Pages | AMPHENOLCS 安费诺 | |
VF30150C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF30150C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
VISHAY |
17+ |
TO-220-2 |
995 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TO220 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY |
24+ |
TO220 |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY/威世 |
2447 |
ITO-220AB |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY |
20+ |
TO-220F |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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MICROCHIP |
24+ |
DIP |
8000 |
原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15 |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220-2 |
60000 |
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VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
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H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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