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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VF20200G | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.62 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VF20200G | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：157.64 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20200G | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.07 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.62 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses 文件：156.24 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
SWITCHMODE Schottky Power Rectifier The SWITCHMODE Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use as rectifiers in very low–voltage, high–frequency s | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Fast Recovery Rectifier 文件：258.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
20.0 Ampere Surface Mount Dual Common Cathode Schottky Barrier Rectifiers 文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
Noninductive Planar Low Cost, 20 Watt TO 220 Package Thick Film Resistor 文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages | BITECH | | ||
Noninductive Planar Low Cost, 20 Watt TO 220 Package Thick Film Resistor 文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages | BITECH | |
VF20200G产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF20200G
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO220 |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
SANYO/三洋 |
20+ |
MCPH3 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
SANYO |
24+ |
MCPH3 |
108000 |
原装现货假一赔十 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY |
0731+ |
TO220 |
70 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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VISHAY |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
SANYO |
16+ |
MCPH3 |
108000 |
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥! |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3355 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
VF20200G规格书下载地址
VF20200G参数引脚图相关
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VF20200G数据表相关新闻
VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10VHR100+2812D DC-DC转换器 供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
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H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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