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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VF20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.22 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20150SG | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20150SG | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.4 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20150SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High efficiency operation FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.22 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：77.31 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.51 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.51 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.22 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS PRODUCT FEATURES 1. FLAMMABILITY CLASSIFICATION 94V-0 2. EXTREMELY LOW VF 3. LOW STORED CHARGE 4. MAJORITY CARRIER CONDUCTION 5. LOW POWER LOSS/HIGH EFFICIENCY 6. CASE: TRANSFER MOLDED TO-220AB FOR MBR20xxxCT ITO-220AB FOR MBR20xxxFCT 7. DIMENSIONS IN INCHES AND (MILLIMETERS) 8. LEADS: SOL | FRONTIER | | ||
INDUSTRIAL MICROWAVE GENERATORS 2450 MHZ 文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages | MKS | | ||
20.0 Ampere Surface Mount Dual Common Cathode Schottky Barrier Rectifiers 文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：72.78 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | |
VF20150SG产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF20150SG
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3750 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
VISHAY |
24+ |
TO220F |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY |
15+ |
TO-220F |
560 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
11800 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
24+ |
NA |
749 |
原装现货,专业配单专家 |
|||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
21+ |
NA |
1820 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
VISHAY |
25+23+ |
TO-220 |
28410 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
VF20150SG规格书下载地址
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VF20150SG数据表相关新闻
VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10VHR100+2812D DC-DC转换器 供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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