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VF20150C-E3价格
参考价格：￥5.5738
型号：VF20150C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VF20150C-E3多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VF20150C-E3批发/采购报价，VF20150C-E3行情走势销售排行榜，VF20150C-E3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF20150C-E3 | Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VF20150C-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20150C-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Low VF = 0.59 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordanc | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordanc | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：154.29 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VF20150C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF20150C-E3
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
TO-220F |
2980 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
22+ |
TO-220F |
20000 |
只做原装 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220AB |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-220F |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220F |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO-220F |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
VF20150C-E3规格书下载地址
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VF20150C-E3数据表相关新闻
VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10VHR100+2812D DC-DC转换器 供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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