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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -47A, RDS(ON) =20mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =32mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -47A, RDS(ON) =20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) =32mW @VGS = -4.5V. Lead free product is acquired.

CET-MOS

华瑞

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-27 13:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
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CET/華瑞
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全新原装正品现货,支持订货

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    VC7645,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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