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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -60A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -60A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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KERSEMI

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

更新时间:2025-12-27 13:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
TO-251
50000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
CET
23+
TO-251
50000
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TO252
18000
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PHI
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6618
公司现货库存,支持实单
CET/華瑞
23+
TO-251 TO-252
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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TOSHIBA/东芝
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CET(华瑞)
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TO-251
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公司只有原装 欢迎来电咨询。

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    VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.

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  • VBE2104N

    VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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    VC7645,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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