位置：首页 > IC中文资料第12820页 > VBT1060C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TrenchMOSSchottkytechnology FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   | |
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：173.74 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：173.74 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
TrenchMOSSchottkytechnology 文件：89.98 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：79.91 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
Inst,24Pr#2022StrBC,PVCInsE1,OS,BlkPVCJkt,300VPLTCITCCMG ProductDescription ULInstrumentation,24Pair20+22AWG(7x28)BareCopper,PVCInsulationE1ColorCode,OverallBeldfoil®Shield,BlackPVCOuterJacket,PLTCITC CMGAWM2464SUNRES | BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司 |  | | |
IECApplianceInletC14withFuseholder1-pole 文件：457.83 Kbytes Page：4 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 |  | | |
IECApplianceInletC14withFuseholder1-pole 文件：426.16 Kbytes Page：3 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | | | |
300VPower-LimitedTrayCables??Overview 文件：1.05773 Mbytes Page：22 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 |  | | |
IECApplianceInletC14withFuseholder1-pole 文件：426.16 Kbytes Page：3 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | | |
VBT1060C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VBT1060C
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 功能描述
10A,60V,DUAL TRENCH SKY RECT.
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VIS |
23+ |
TO-263AB |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
Vishay General Semiconductor - |
24+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
30000 |
二极管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VIS |
23+ |
TO-263AB |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
VIS |
22+ |
TO-263AB |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
VISHAY/威世 |
2017+ |
TO-263AB |
49894 |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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VIS |
22+ |
TO-263AB |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
VIS |
23+ |
TO-263AB |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VISHAY/威世 |
2021+ |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
VBT1060C芯片相关品牌
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2023-5-25VBPW34VR
VBPW34VR
2023-2-3VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
2022-6-25VBE2104N
VBE2104N,TO-252,P-Channel100V(D-S)MOSFET
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VCC6-Q/R 10Mhz~270Mhz
2020-9-18
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