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VBMB155R18

N-Channel 550V (D-S)Power MOSFET

文件:680.71 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-of-Merit (

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-27 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-220F
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VBSEMI
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