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VBL165R18

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

VBL165R18

MOSFET

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS)

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更新时间:2025-10-18 14:00:00
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