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VBFB16R04

Power MOSFET

FEATURES • Ultra Low Gate Charge • Reduced Gate Drive Requirement • Enhanced 30 V, VGS Rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Extremely High Frequency Operation • Repetitive Avalanche Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

VBFB16R04

N-Channel 600V (D-S)Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Ultrafast recovery diode

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Ultrafast recovery diode

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意法半导体

Ultrafast recovery diode

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意法半导体

Ultrafast Rectifier

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ISC

无锡固电

Ultrafast recovery diode

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-10-18 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • VBE5415

    VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.

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  • VBE2104N

    VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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  • VC7645

    VC7645,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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