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VBE16R04

Power MOSFET

FEATURES • Ultra Low Gate Charge • Reduced Gate Drive Requirement • Enhanced 30 V, VGS Rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Extremely High Frequency Operation • Repetitive Avalanche Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

VBE16R04

N-Channel 600V (D-S)Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

FEATURES • Ultra Low Gate Charge • Reduced Gate Drive Requirement • Enhanced 30 V, VGS Rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Extremely High Frequency Operation • Repetitive Avalanche Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

Ultrafast recovery diode

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Ultrafast recovery diode

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意法半导体

Ultrafast recovery diode

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意法半导体

Ultrafast Rectifier

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ISC

无锡固电

Ultrafast recovery diode

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-11 19:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
N/A
12500
IXYS全系列在售
V
22+
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25000
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22+
ECOPAC1
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原厂渠道,现货配单
VBsemi(台湾微碧)
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105000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
IXYS
23+
标准封装
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

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    VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.

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    2022-6-25
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    VAS1260,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

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