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VBA1203M | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
VBA1203M | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：574.93 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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InGenius High-CMRR Balanced Input Line Receiver 文件：157.56 Kbytes Page：10 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
SO-8 |
105000 |
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VBSEMI |
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VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
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2021-6-17V962PBC-33LP
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