Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Wiha Quality Tools Toll Free: (800) 494-6104

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ENGINEERS CUTTING TOOLS

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Flat surface combination pH electrode

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70 MHz Bandpass SAW Filter

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Fast thyristors

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