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位置：首页 > IC中文资料第11550页 > VB40M120C

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VB40M120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C

Schotty Barrier Diode

FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter

ISC

无锡固电

VB40M120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：625.55 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3

Trench MOS Schottky technology

文件：94.97 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3/ VB40M120C-M3/ VB40M120CHM3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：625.55 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：625.55 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3/8W

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 120V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

VB40M120C-E3/8W

肖特基二极管与整流器 40A,120V,TRENCH SKY RECT.

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：86.9 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：625.55 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C-E3SLASH8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：625.55 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120CHM3

Trench MOS Schottky technology

文件：94.97 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120CHM3/I

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：散装 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

VB40M120C-M3

Trench MOS Schottky technology

文件：94.97 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

STPS40M120C

Power Schottky rectifier

Description This Schottky diode is suited for high frequency switch mode power supply. Packaged in TO-220AB, TO-220AB narrow leads and I2PAK, this device is intended to be used in notebook, game station and desktop adapters, providing in these applications a good efficiency at both low and high

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STPS40M120CT

Power Schottky rectifier

Description This Schottky diode is suited for high frequency switch mode power supply. Packaged in TO-220AB, TO-220AB narrow leads and I2PAK, this device is intended to be used in notebook, game station and desktop adapters, providing in these applications a good efficiency at both low and high

STMICROELECTRONICS

意法半导体

V40M120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

VishayVishay Siliconix

威世科技

CFM40M120

40W MEDICAL AND ITE OPEN FRAME AC-DC MODULES

文件：542.99 Kbytes Page：3 Pages

Cincon

幸康电子

V40M120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：725.97 Kbytes Page：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB40M120C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VB40M120C

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    VB40M120C

VB40M120C供应商更多...

更新时间：2025-10-5 9:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
VB-4241
OMRON/欧姆龙
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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深圳市高捷芯城科技有限公司
VB40M120C-M3/I
VISHAY(威世)
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TO-263
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现代芯城（深圳）科技有限公司
VB-4111
24+
N/A
51000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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易创佳业科技（深圳）有限公司
VB40M120CE3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Di
23+
TO263AB
9000
原装正品，支持实单
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深圳市得捷芯城科技有限公司
VB40M120C-M3/I
VISHAY(威世)
24+
TO-263
5627
百分百原装正品,可原型号开票
询价
深圳市骏创达科技有限公司
VB-4241
OMRON/欧姆龙
2508+
/
209858
一级代理，原装现货
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深圳市一线半导体有限公司
VB420RMR
24+
SOP
1068
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深圳市安富世纪电子有限公司
VB40M120CE3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Di
23+
TO263AB
8000
只做原装现货
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艾睿（深圳）半导体有限公司
VB4290
VBsemi(台湾微碧)
2447
TSOP-6
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
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深圳市鹏华威电子有限公司
VB-4211
OMRON
2024+
112
本周特价,刚到现货,支持实单
询价

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  • VBE5415

    VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.

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  • VBE2104N

    VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

    2022-6-25

  • VAS1260

    VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

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