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VB30150C价格
参考价格：￥5.2536
型号：VB30150C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VB30150C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VB30150C批发/采购报价，VB30150C行情走势销售排行榜，VB30150C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VB30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VB30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VB30150C | Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter | ISC 无锡固电 | | |
VB30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VB30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VB30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VB30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：159.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter | ISC 无锡固电 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICAT | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICAT | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
肖特基二极管与整流器 30 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5.0 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology 文件：87.23 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 150V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：77.55 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
PRODUCT SPECIFICATION 文件：395.81 Kbytes Page：6 Pages | JOKARI | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：489.84 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：480.05 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
High frequency operation 文件：710.65 Kbytes Page：3 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
Cable assembly with T812 series connector w/SR 文件：169.93 Kbytes Page：1 Pages | AMPHENOLCS 安费诺 | |
VB30150C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VB30150C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3365 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
16601 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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VISHAY |
25+ |
TO-263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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Vishay(威世) |
25+ |
TO-263AB(D2PAK) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
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VISHAY |
13+ |
TO-263 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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2023-2-3VAWQ6-Q48-D15H
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2022-8-18VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
2022-6-25VBE2104N
VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
2022-6-25VAS1260
VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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