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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VB30120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VB30120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.28 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Trench MOS Schottky technology Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter | ISC 无锡固电 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
PRODUCT SPECIFICATION Cable/Wire stripperss | JOKARI | | ||
Schottky PowerMod ● Schottky Barrier Rectifier ● Guard Ring Protection ● Common Cathode Center Tap ● 300 Amperes/45 Volts ● 125°C Junction Temperature ● Reverse Energy Tested ● VRRM 20 - 45 Volts ● ROHS Compliant | Microsemi 美高森美 | | ||
PRODUCT SPECIFICATION 文件：395.81 Kbytes Page：6 Pages | JOKARI | | ||
BNC FEEDTHROUGH CONNECTORS 文件：341.09 Kbytes Page：2 Pages | CLIFF | | ||
0.3 Inch Single Digit SMD Display 文件：240.28 Kbytes Page：7 Pages | CHINASEMI | |
VB30120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VB30120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3935 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
15499 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263AB |
82000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO263AB |
8000 |
只做原装现货 |
|||
VISHAY |
24+ |
N/A |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
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VISHAY/威世通 |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
DIOS |
23+ |
SOT-23 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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2023-2-3VAWQ6-Q48-D15H
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2022-8-18VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
2022-6-25VBE2104N
VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
2022-6-25VAS1260
VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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