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VB30100C-E3价格
参考价格：￥5.3410
型号：VB30100C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VB30100C-E3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VB30100C-E3批发/采购报价，VB30100C-E3行情走势销售排行榜，VB30100C-E3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VB30100C-E3 | Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath t | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VB30100C-E3 | Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low thermal resistance • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VB30100C-E3 | Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter | ISC 无锡固电 | | |
VB30100C-E3 | Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VB30100C-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：152.56 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low thermal resistance • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath t | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VB30100C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
VB30100C-E3
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
TO-263AB |
5627 |
百分百原装正品,可原型号开票 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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VISHAY |
18+ |
TO263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO263 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
VISHAY/威世 |
2023+ |
TO263 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
210494 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
VISHAY |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
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VB30100C-E3规格书下载地址
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2023-2-3VAWQ6-Q48-D15H
进口代理
2022-8-18VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
2022-6-25VBE2104N
VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
2022-6-25VAS1260
VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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