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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

拓锋半导体

Ultra Precision Bulk Metal Film Resistors

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WELWYN

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Ideal resistor for precision instrumentation

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TTELEC

更新时间:2025-10-17 15:32:01
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