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位置：首页 > IC中文资料第7392页 > V8P10

V8P10价格

参考价格：￥1.8347

型号：V8P10HM3/86A 品牌：Vishay Semiconductor Dio 备注：这里有V8P10多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，V8P10批发/采购报价，V8P10行情走势销售排行榜，V8P10报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
V8P10

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V8P10

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半导体

V8P10

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10_V01

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

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V8P10_08

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10_11

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10_15

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10-E3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10-E3/87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10-E3/87A

封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

V8P10-E386A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10HE3/87A

封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

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V8P10-M3/86A

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V8P10-M3/87A

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威世科技威世科技半导体

V8P10-M3-86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半导体

V8P10-M3-87A

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威世科技威世科技半导体

V8P10-M3SLASH86A

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威世科技威世科技半导体

V8P10-M3SLASH87A

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

FQB8P10

100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FairchildFairchild Semiconductor

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FairchildFairchild Semiconductor

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ABN8P10

Heavy duty switches & pilot lights offer both variety and reliability Endures harsh environments

文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

FQB8P10

P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -8.0 A, 185 m廓

文件：1.23782 Mbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQB8P10TM

P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -8.0 A, 185 m廓

文件：1.23782 Mbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

V8P10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V8P10

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

V8P10供应商更多...

更新时间：2025-8-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
V8P10
Vishay(威世)
24+
标准封装
9318
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
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深圳市凌旭科技有限公司
V8P10-5300M3/86A
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深圳市金芯世纪电子有限公司
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代理渠道/只做原装/可含税
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深圳市威雅利发展有限公司
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9500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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VISHAY/威世全新特价V8P10-M3/86A即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市润联芯城科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
V8P10HM3_A/H
VISHAY/威世
17+
TO-277A
55605
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    V60DM100C-M3/I

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  • VAS1260

    VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

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  • V7-6B19D8

    V7-6B19D8，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-2-9

  • V962PBC-33LP

    二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、

    2019-3-12

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