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60 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 60N06 is N-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer application. FEATURES * RDS(ON) ≤ 18mΩ @ VGS=10V, ID=30A * Ultra low gate charge ( ty

UTC

友顺

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 60N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:316.43 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:284.8 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:983.43 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-27 13:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO220
60000
UTC/友顺
24+
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原装现货
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  • V7-6B19D8

    V7-6B19D8,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-9
  • V4555

    类型 衬垫 形状 圆形 应用 通用 - 轴向,径向 材料 聚丙烯 颜色 - 特性 - 长度 - 宽度 - 高度 0.098(2.49mm) 直径 - 外部 0.362(9.20mm) 直径 - 内部 0.200(5.08mm)

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