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V60120C_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-11-21 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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TO-220AB
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    V7-6B19D8,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

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