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30ns; high performance 512K x 16 EDO page mode CMOS dynamic RAM, TTL interface

MOSEL

茂矽电子

HIGH PERFORMANCE 512K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM

Description The V53C818H is a 524,288 x 16 bit high performance CMOS dynamic random access memory. The V53C818H offers Page mode operation with Extended Data Output. An address, CAS and RAS input capacitances are reduced to one half when the 256K x 16 DRAM is used to construct the same memory d

MOSEL

茂矽电子

更新时间:2025-12-28 13:10:00
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