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V40170PW-M3_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2026-2-13 11:12:00
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