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V40120CI-M3SLASHP

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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威世科技威世科技半导体

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间:2025-8-5 20:00:00
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