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V40100G-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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威世科技威世科技半导体

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FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

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FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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V40100G-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V40100G-E3

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 40 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-18 23:01:00
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