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V35PWM60_V01

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2024-6-21 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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