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V35PWM12-M3/I | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：123.37 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
V35PWM12-M3/I | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：123.37 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2026-2-13 17:02:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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