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V30D60CL_V01

Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2026-1-4 14:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
VISHAY/威世
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NA/
39250
原装现货,当天可交货,原型号开票
VISHAY/威世
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明嘉莱只做原装正品现货
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