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V30150C价格
参考价格：￥5.3701
型号：V30150C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有V30150C多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，V30150C批发/采购报价，V30150C行情走势销售排行榜，V30150C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
V30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
V30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
V30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.63 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
V30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
V30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
V30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 150V TO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.63 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.63 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
PRODUCT SPECIFICATION 文件：395.81 Kbytes Page：6 Pages | JOKARI | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：489.84 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：480.05 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
High frequency operation 文件：710.65 Kbytes Page：3 Pages | LITTELFUSE 力特 | | ||
Cable assembly with T812 series connector w/SR 文件：169.93 Kbytes Page：1 Pages | AMPHENOLCS 安费诺 | |
V30150C产品属性
- 类型
描述
- 型号
V30150C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
21+ |
TO220 |
1625 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO220AB |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220-3 |
9000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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VISHAY |
2450+ |
TO263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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VISHAY |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220AB |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-220 |
15294 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220-3 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220 |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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2019-12-19
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