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V30120S-E3SLASH45

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-24 15:01:00
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