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V30120S-E3/45

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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威世科技威世科技半导体

V30120S-E3/45

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

V30120S-E3/45产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V30120S-E3/45

  • 功能描述

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器

  • 系列

    TMBS®

  • 标准包装

    100

  • 系列

    -

  • 二极管类型

    标准 电压

  • -(Vr)(最大)

    50V 电流 -

  • 平均整流(Io)

    6A 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大)

    1.4V @ 6A

  • 速度

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 反向恢复时间(trr)

    300ns 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    15µA @ 50V 电容@ Vr,

  • F

    -

  • 安装类型

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳

    DO-203AA,DO-4,接线柱

  • 供应商设备封装

    DO-203AA

  • 包装

    散装

  • 其它名称

    *1N3879

更新时间:2025-8-18 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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