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V30120CI-M3/P

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

V30120CI-M3/P

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:30A 120V TRENCH SKY RECT 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

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知名厂家

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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更新时间:2025-11-22 19:12:00
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