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V20120C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) • Component in acco | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
V20120C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) • Component in acco | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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vishay原装 |
25+23+ |
TO-220 |
23549 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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VISHAY |
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VISHAY |
TO220 |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
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TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220 |
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郑重承诺只做原装进口现货 |
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VISHAY |
原厂封装 |
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原装进口公司现货假一赔百 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO220AB |
8000 |
只做原装现货 |
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VISHAY |
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TO220 |
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VISHAY |
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