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V10WM100-M3I

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co

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更新时间:2026-2-2 22:59:00
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