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V10PWM153-M3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

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V10PWM153-M3/I

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:带盒(TB) 描述:10A, 150V, DPAK_SL TRENCH SKY RE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

• Very low profile - typical height of 1.3 mm • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive

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更新时间:2026-2-8 23:00:00
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