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V10PM12_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-12-30 11:53:00
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