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V10P8_V01

HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
更新时间:2024-5-17 20:00:00
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