位置：首页 > IC中文资料 > V10P10HM3_A/H
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
V10P10HM3_A/H | 封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2025-11-21 9:11:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
TO-277 |
1964 |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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VISHAY |
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