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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

文件:126.21 Kbytes Page:7 Pages

RENESAS

瑞萨

V03C5N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V03C5N

  • 功能描述

    标准环形连接器 240 MM CRIMP WIND ENERGY RECEPTACLE

  • RoHS

  • 制造商

    Hirose Connector

  • 系列

    EM-W

  • 产品类型

    Accessories

  • 位置/触点数量

    1

  • 安装风格

    Cable

  • 端接类型

    Clamp

更新时间:2026-8-4 11:24:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
2025+
SOT23-3
5185
全新原厂原装产品、公司现货销售
ROHM
20+
SOT-23
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ROHM
24+
SOT23
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ROHM
最新
SOT-23
35689
绝对进口原装现货库存特价销售
ROHM
2023+
SOT23
50000
原装现货
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
ROHM
26+
SOT-23
6868
原装现货,可开13%税票
ROHM
24+
SOT-23
6600
原装现货假一赔十
ROHM
19+
SOT-23
200000

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