型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

文件:126.21 Kbytes Page:7 Pages

RENESAS

瑞萨

V03C5N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V03C5N

  • 功能描述

    标准环形连接器 240 MM CRIMP WIND ENERGY RECEPTACLE

  • RoHS

  • 制造商

    Hirose Connector

  • 系列

    EM-W

  • 产品类型

    Accessories

  • 位置/触点数量

    1

  • 安装风格

    Cable

  • 端接类型

    Clamp

更新时间:2026-3-1 10:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
2026+
QFN8
27300
进口原带现货
RENESAS
23+24
QFN8
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
RENESAS/瑞萨
22+
QFN
3000
原装正品,支持实单
24+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS/瑞萨
17+
WPAK
31518
原装正品 可含税交易
NK/南科功率
2025+
DFN5X6-L
986966
国产
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
22+
SON
20000
公司只做原装 品质保障
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS(瑞萨)/IDT
20+
-
3000

V03C5N数据表相关新闻