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NTMS4916NR2G中文资料

厂家型号

NTMS4916NR2G

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6

功能描述

30V N-Channel MOSFET

MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM

数据手册

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生产厂商

UMW

NTMS4916NR2G数据手册规格书PDF详情

Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

• Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and

are RoHS Compliant

(VGS = 10V)





VDS (V) =30V

ID = 11.6 A

 RDS(ON) < 9 mΩ(VGS=10V)

 RDS (O N) < 12 mΩ(VGS=4.5V)

NTMS4916NR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS4916NR2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-30 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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23+
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原厂原装正品
onsemi(安森美)
24+
SOP-8
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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