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Features
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
• Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and
are RoHS Compliant
(VGS = 10V)
VDS (V) =30V
ID = 11.6 A
RDS(ON) < 9 mΩ(VGS=10V)
RDS (O N) < 12 mΩ(VGS=4.5V)
NTMS4916NR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMS4916NR2G
- 功能描述
MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
SOP-8 |
37821 |
ON/安森美全新特价NTMS4916NR2G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SOP-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
ON |
23+ |
SOP8 |
2997 |
原厂原装正品 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOP-8 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON |
24+/25+ |
1253 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ON |
1645+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON |
20+ |
SMD |
11520 |
特价全新原装公司现货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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