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位置：NTMS4917NR2G > NTMS4917NR2G详情

NTMS4917NR2G中文资料

NTMS4917NR2G
厂家型号

NTMS4917NR2G
文件大小

114.04Kbytes
页面数量

5页
功能描述

Power MOSFET 30 V, 10.5 A, N?묬hannel, SO?? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NTMS4917NR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS4917NR2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NTMS4917NR2G供应商...

更新时间：2026-2-5 15:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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