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NTMS4917NR2G中文资料

NTMS4917NR2G
厂家型号

NTMS4917NR2G
文件大小

114.04Kbytes
页面数量

5页
功能描述

Power MOSFET 30 V, 10.5 A, N?묬hannel, SO?? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NTMS4917NR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS4917NR2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NTMS4917NR2G供应商...

更新时间：2025-10-30 9:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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