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CY62256-70	256K (32K x 8) Static RAM Functional Description The CY62256 is a high-performance CMOS static RAM organized as 32,768 words by 8 bits. Features • 4.5V–5.5V Operation • Low active power (70 ns, LL version) — 275 mW (max.) • Low standby power (70 ns, LL version) — 28 µW (max.) • 55, 70 ns access time • Easy	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62256-70PC	256K (32K x 8) Static RAM Functional Description The CY62256 is a high-performance CMOS static RAM organized as 32,768 words by 8 bits. Features • 4.5V–5.5V Operation • Low active power (70 ns, LL version) — 275 mW (max.) • Low standby power (70 ns, LL version) — 28 µW (max.) • 55, 70 ns access time • Easy	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62256-70SNC	256K (32K x 8) Static RAM Functional Description The CY62256 is a high-performance CMOS static RAM organized as 32,768 words by 8 bits. Features • 4.5V–5.5V Operation • Low active power (70 ns, LL version) — 275 mW (max.) • Low standby power (70 ns, LL version) — 28 µW (max.) • 55, 70 ns access time • Easy	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62256-70PC	Static RAM 文件：374.76 Kbytes Page：12 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
CY62256-70SNC	Static RAM 文件：374.76 Kbytes Page：12 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP

UT62256-70供应商更多...

更新时间：2025-12-30 10:50:01

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特征 >155.5 Mbps的（77.7兆赫）交换速率 +340 mV的差分信号名义问5 V电源 TTL兼容输入超低功耗CMOS技术最大5.0ns，传输延迟 3.0ns最高，差分偏移辐射加固设计，总剂量辐射测试符合MIL - STD-883方法1019 - 总剂量：300 krad（Si）和1Mrad（四） -闭锁免疫（LET的>111 MeV-cm2/mg）包装选择： - 16引脚扁平封装（双行）标准微电路图纸5962-
2013-2-22