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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -60A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -60A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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KERSEMI

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

更新时间:2025-12-27 11:26:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
TO252
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    简介 该UT54LVDS031四Driver是一款四路CMOS差分线路驱动应用而设计的要求超低功耗和高数据速率。该装置目的是支持在155.5 Mbps的数据传输速率超过(77.7兆赫)利用低电压差分信号传输(LVDS)技术。该UT54LVDS031接受TTL输入电平与翻译他们低电压(340mV)差分输出信号。在此外,驱动程序支持的三态功能,可使用禁用的输出级,禁用负载电流,从而去掉了设备闲置的超低电源状态。和同伴的UT54LVDS031四线接收器UT54LVDS032高功率提供新的替代品高速点至点接口伪ECL器件申请。 特征 >155.

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