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60 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 60N06 is N-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer application. FEATURES * RDS(ON) ≤ 18mΩ @ VGS=10V, ID=30A * Ultra low gate charge ( ty

UTC

友顺

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 60N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:983.43 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-27 12:00:01
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    德信电子(香港)有限公司 客服经理:林先生 联系电话:0755-33359577

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    德信电子(香港)有限公司 客服经理:林先生 联系电话:0755-33359577

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    特征 >155.5 Mbps的(77.7兆赫)交换速率 +340 mV的差分信号名义问5 V电源 TTL兼容输入 超低功耗CMOS技术 最大5.0ns,传输延迟 3.0ns最高,差分偏移 辐射加固设计,总剂量辐射测试符合MIL - STD-883方法1019 - 总剂量:300 krad(Si)和1Mrad(四) -闭锁免疫(LET的>111 MeV-cm2/mg) 包装选择: - 16引脚扁平封装(双行) 标准微电路图纸5962-

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    简介 该UT54LVDS031四Driver是一款四路CMOS差分线路驱动应用而设计的要求超低功耗和高数据速率。该装置目的是支持在155.5 Mbps的数据传输速率超过(77.7兆赫)利用低电压差分信号传输(LVDS)技术。该UT54LVDS031接受TTL输入电平与翻译他们低电压(340mV)差分输出信号。在此外,驱动程序支持的三态功能,可使用禁用的输出级,禁用负载电流,从而去掉了设备闲置的超低电源状态。和同伴的UT54LVDS031四线接收器UT54LVDS032高功率提供新的替代品高速点至点接口伪ECL器件申请。 特征 >155.

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