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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIDLD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC UT40N04 is an N-channel enhancement mode FET using advanced technology to provide fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed

UTC

友顺

N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIDLD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC UT40N04 is an N-channel enhancement mode FET using advanced technology to provide fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed

UTC

友顺

RECTIFIERS

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Microsemi

美高森美

Standard Recovery, 2 Amp to 4 Amp

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

STANDARD RECOVERY RECTIFIERS

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DIGITRON

RECTIFIERS

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Microsemi

美高森美

STANDARD RECOVERY RECTIFIERS

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DIGITRON

Standard Recovery, 2 Amp to 4 Amp

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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封装/外壳:轴向 包装:散装 描述:STD RECTIFIER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Microchip

微芯科技

功率电感

MINGSTAR

登壹

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

功率电感

MINGSTAR

登壹

封装/外壳:轴向 包装:散装 描述:UFR,FRR 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Microchip

微芯科技

RECTIFIERS

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Microsemi

美高森美

Standard Recovery, 2 Amp to 4 Amp

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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DIGITRON

功率电感

MINGSTAR

登壹

RECTIFIERS

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Microsemi

美高森美

STANDARD RECOVERY RECTIFIERS

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DIGITRON

No sound or vibration

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LSTD

莱尔德

Standard Recovery, 2 Amp to 4 Amp

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Microsemi

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STANDARD RECOVERY RECTIFIERS

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DIGITRON

Standard Recovery, 2 Amp to 4 Amp

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40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTC

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UTC

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UTC

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT40产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UT40

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    STD RECOVERY RECTFR 50V 4A 2PIN E - Tape and Reel

更新时间:2025-12-27 16:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SK
23+
DFN5060-8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
UTC
2450+
DFN3030-8
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
优联特
2016+
DIP
9888
只做原装,假一罚十,专营继电器!
MasterAppliance
5
全新原装 货期两周
UN
24+
SMD
27950
郑重承诺只做原装进口现货
UNITON
2016+
DIP6
5
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
UN/WIRE
2447
QFP
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
UTC/友顺
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
UTC/友顺
20+
TO-252
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
优联特
24+
SMD
20000
一级代理原装现货假一罚十

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    UT3N06G-SOT223R-TG

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  • UT54LVDS031-UCC-缓冲器/驱动器...

    简介 该UT54LVDS031四Driver是一款四路CMOS差分线路驱动应用而设计的要求超低功耗和高数据速率。该装置目的是支持在155.5 Mbps的数据传输速率超过(77.7兆赫)利用低电压差分信号传输(LVDS)技术。该UT54LVDS031接受TTL输入电平与翻译他们低电压(340mV)差分输出信号。在此外,驱动程序支持的三态功能,可使用禁用的输出级,禁用负载电流,从而去掉了设备闲置的超低电源状态。和同伴的UT54LVDS031四线接收器UT54LVDS032高功率提供新的替代品高速点至点接口伪ECL器件申请。 特征 >155.

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  • UT54LVDS031-UPC-缓冲器/驱动器

    特征 >155.5 Mbps的(77.7兆赫)交换速率 +340 mV的差分信号名义问5 V电源 TTL兼容输入 超低功耗CMOS技术 最大5.0ns,传输延迟 3.0ns最高,差分偏移 辐射加固设计,总剂量辐射测试符合MIL - STD-883方法1019 - 总剂量:300 krad(Si)和1Mrad(四) -闭锁免疫(LET的>111 MeV-cm2/mg) 包装选择: - 16引脚扁平封装(双行) 标准微电路图纸5962-

    2013-2-22