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USG170N10

Trench Power MOSFET  (N-CH)

UTC

友顺

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

100V N-Channel Power Mosfet

文件:3.11699 Mbytes Page:4 Pages

FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Power MOSFET

文件:2.24483 Mbytes Page:4 Pages

FOSTER

福斯特半导体

更新时间:2025-12-31 15:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTC
24+
TO-263
8000
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718
TYPE
25+
SOD-123FL
15000
全新原装现货,价格优势
UTC/友顺
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
NICHICON/尼吉康
2022+
DIP
88000
原厂代理 终端免费提供样品
NICHICON/尼吉康
23+
DIP
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
69000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
DDKELECTRONICSINC
305
全新原装 货期两周
UTC
RLAR
TO-263
8800

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